Condensation of indirect excitons in coupled AlAs/GaAs quantum wells - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1993

Condensation of indirect excitons in coupled AlAs/GaAs quantum wells

L. Butov
  • Fonction : Auteur
A. Zrenner
  • Fonction : Auteur
G. Böhm
  • Fonction : Auteur
G. Weimann
  • Fonction : Auteur

Résumé

The photoluminescence (PL) of excitons confined in an electric field tunable coupled AlAs/GaAs quantum well has been investigated at T[MATH]350 mK and magnetic field H[MATH]14 T. In the indirect regime when electrons and holes are separated both in real- and in k-space, magnetic field was found to result in (i) a strong change of both the PL intensity and decay time which is attributed to the anomalies in the exciton transport and (ii) an appearance of a huge broad band noise in the PL intensity which is an evidence of exciton condensation.

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jpa-00251616 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

L. Butov, A. Zrenner, G. Böhm, G. Weimann. Condensation of indirect excitons in coupled AlAs/GaAs quantum wells. Journal de Physique IV Proceedings, 1993, 03 (C5), pp.C5-167-C5-170. ⟨10.1051/jp4:1993530⟩. ⟨jpa-00251616⟩

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