Negatively charged exciton X and donor bound exciton D0X in planar doped CdTe/Cdl-xZnxTe quantum well heterostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1993

Negatively charged exciton X and donor bound exciton D0X in planar doped CdTe/Cdl-xZnxTe quantum well heterostructures

Kuntheak Kheng
  • Fonction : Auteur
R. Cox
  • Fonction : Auteur
M. Mamor
  • Fonction : Auteur
K. Saminadayar
  • Fonction : Auteur
Serge Tatarenko
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 944989

Résumé

A comparative luminescence and magneto-transmission study is made of donor bound excitons DoX and negatively charged excitons X- in planar doped CdTe/Cd1-xZnxTe quantum wells of 100Å width. As the dopant plane is removed from the well centres to 450Å distance in the barriers, DoX evolves continuously into an X- species weakly localised in random potential fluctuations. The exciton localisation energy in DoX transforms into the second electron's binding energy in X-.

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jpa-00251603 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

Kuntheak Kheng, R. Cox, M. Mamor, K. Saminadayar, Serge Tatarenko. Negatively charged exciton X and donor bound exciton D0X in planar doped CdTe/Cdl-xZnxTe quantum well heterostructures. Journal de Physique IV Proceedings, 1993, 03 (C5), pp.C5-95-C5-98. ⟨10.1051/jp4:1993517⟩. ⟨jpa-00251603⟩

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