HIGH TEMPERATURE STRESS MEASUREMENTS IN CVD DIAMOND FILMS - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1991

HIGH TEMPERATURE STRESS MEASUREMENTS IN CVD DIAMOND FILMS

C. Johnston
  • Fonction : Auteur
A. Crossley
  • Fonction : Auteur
A. Jones
  • Fonction : Auteur
P. Chalker
  • Fonction : Auteur
F. Cullen
  • Fonction : Auteur
I. Buckley-Golder
  • Fonction : Auteur

Résumé

Low pressure CVD diamond films are intended for application in the optics, biomedical, electronics and engineering industries. In a number of applications, it is important to know the growth stresses in the films at room temperature and, in addition, the stresses generated in the films as a function of temperature. The results in this paper will show the in situ measurement of stresses in CVD diamond films as a function of temperature up to 750 °C. The principal measurement techniques are Raman spectroscopic analysis and the X-ray diffraction (XRD) sin2ψ method.

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jpa-00249791 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

C. Johnston, A. Crossley, A. Jones, P. Chalker, F. Cullen, et al.. HIGH TEMPERATURE STRESS MEASUREMENTS IN CVD DIAMOND FILMS. Journal de Physique IV Proceedings, 1991, 02 (C2), pp.C2-931-C2-937. ⟨10.1051/jp4:19912112⟩. ⟨jpa-00249791⟩

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