Calcul simplifié du rendement de collecte du courant induit par un faisceau d'électrons (EBIC). Application à la caractérisation de diodes AI-Si p et Si n+ p
Résumé
Les porteurs libres générés par le faisceau d'un microscope électronique à balayage dans des échantillons de silicium sont collectés grâce à une jonction superficielle perpendiculaire au faisceau. Le rendement de collecte de cette jonction, en fonction de l'énergie cinétique des électrons incidents, est modélisé d'une manière simple pour rendre compte de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires en volume, de leur vitesse de recombinaison à la jonction et, dans le cas de la diode n-p, du temps de vie dans la couche superficielle. Le modèle est utilisé pour mesurer ces paramètres dans des diodes Schottky AI-Si p et des cellules solaires Si n+ p.
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