Couches minces d'oxynitrure de phosphore. Application aux structures MIS sur InP

Dang Tran Quan , A. Le Bloa , H. Hbib , O. Bonnaud , J. Meinnel , A. Quemerais , R. Marchand

Nous présentons une méthode permettant de préparer des couches minces d'oxynitrure de phosphore stables, homogènes et insensibles à l'humidité destinées à la passivation de la surface d'InP. Les couches minces ont été obtenues directement à partir du produit passivant massif (PON) déjà élaboré ; cette technique a permis de les préparer sur substrats InP aux basses températures (290 °C). L'analyse XPS a permis de les identifier aux composés du type PO xNyHz avec 1,61 ≤ x ≤ 1,93, 0,63 ≤ y ≤ ≤0,73, 0,41 ≤ z ≤ 0,75. Les caractéristiques C (V ) des structures MIS présentent une hystérésis qui est de 0,20 V seulement pour une épaisseur d'oxynitrure de 33 nm, ce qui traduit une bonne compatibilité entre le substrat InP et le dépôt isolant. La densité des états d'interface, dans le cas le plus favorable, atteint 5 x 10^11 cm-2 eV-1.

Mots clés: CVD coatings; electronic density of states; III V semiconductors; indium compounds; interface electron states; metal insulator semiconductor structures; phosphorus compounds; X ray photoelectron spectra; interface state density; CVD; passivation; electrical characteristics; semiconductor; X ray photoelectron spectroscopy; MIS structures; hysteresis; 290 degC; PON solid sample; PO sub x N sub y H sub z InP; InP

Domaines: Articles anciens

Dang Tran Quan, A. Le Bloa, H. Hbib, O. Bonnaud, J. Meinnel, et al.. Couches minces d'oxynitrure de phosphore. Application aux structures MIS sur InP. Revue de Physique Appliquée, 1989, 24 (5), pp.545-551. ⟨10.1051/rphysap:01989002405054500⟩. ⟨jpa-00246080⟩