Caractérisation physico-chimique et électrique de structures fluorure — semi-conducteur III-V (passivation de GaAs et InP)

A.S. Barrière , A. Chaouki , G. Couturier , T. Seguelong , C. Sribi , P. Alnot

Les travaux présentés se rapportent à la caractérisation physico-chimique et électrique de couches minces de SrF2 déposées sous vide sur InP et de films d'InF3 et de GaF3 résultant d'une fluoruration partielle d'InP et de GaAs. Quel que soit le mode de préparation, à la précision de la R.B.S. près, le volume des couches de fluorure présente la stoechiométrie attendue et une étude X.P.S. révèle qu'aux interfaces couches-substrats le phosphore et l'arsenic sont liés au fluor. Par ailleurs, dans tous les cas, les caractéristiques C-V des structures M.I.S. obtenues montrent une importante modulation du potentiel de surface des semi-conducteurs. Dans le cas de SrF2-InP la densité d'états d'interface est très faible ( ≃ 1011 eV-1 cm-2) pour InP et GaAs fluorés elle est voisine de 1012 et 5 x 1011 eV-1 cm-2 respectivement.

Mots clés: interface state density; GaAs SrF sub 2; InP SrF sub 2; III V semiconductors; metal insulator semiconductor structures; particle backscattering; passivation; X ray photoelectron spectra; physico chemical characterization; electrical characterization; stoichiometry; film substrate interfaces; C V characteristics; surface potential

Domaines: Articles anciens

A.S. Barrière, A. Chaouki, G. Couturier, T. Seguelong, C. Sribi, et al.. Caractérisation physico-chimique et électrique de structures fluorure — semi-conducteur III-V (passivation de GaAs et InP). Revue de Physique Appliquée, 1988, 23 (1), pp.63-70. ⟨10.1051/rphysap:0198800230106300⟩. ⟨jpa-00245748⟩