Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

G. Keil , M. Le Métayer , A. Cuquel , D. Le Pollotec

Des couches d'arséniure de gallium épitaxiées par la technique de croissance aux organométalliques ont été dopées par le germanium, l'étain, le sélénium et le zinc. L'étude de l'incorporation de ces éléments en fonction des paramètres de croissance nous permet d'ajuster le niveau de dopage entre 5 x 10 16 et 3 x 1018 cm-3 tant en type n qu'en type p. Les valeurs de mobilité obtenues dans cette gamme (μn compris entre 2 700 et 3 900 cm2. V-1. s-1 et μ p compris entre 105 et 320 cm2. V-1. s-1 ) attestent que les matériaux élaborés présentent une bonne qualité électronique.

Mots clés: carrier mobility; gallium arsenide; germanium; Hall effect; III V semiconductors; selenium; semiconductor doping; semiconductor epitaxial layers; tin; vapour phase epitaxial growth; zinc; GaAs layers; Ge doping; Sn doping; Se dopant; Zn dopant; GaAs:Ge; GaAs:Sn; GaAs:Se; GaAs:Zn; III V semiconductor; vapour phase epitaxy; organometallics; trimethylgallium arsine method; Hall mobilities

Domaines: Articles anciens

G. Keil, M. Le Métayer, A. Cuquel, D. Le Pollotec. Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. Revue de Physique Appliquée, 1982, 17 (7), pp.405-413. ⟨10.1051/rphysap:01982001707040500⟩. ⟨jpa-00245014⟩