Etude de la conduction électrique dans le semiconducteur chalcogénure As35Te28Ge16S21 en liaison avec la constitution de charges d'espace

M. C. Félix , J. Fornazéro , J.M. Mackovski , R. Ongaro

L'étude des propriétés électriques d'échantillons épais de As35Te 28Ge16S21 a permis de mettre en évidence des caractéristiques inhabituelles pour les chalcogénures ; en particulier un effet de mémoire apparaît sur la conductivité électronique mesurée à basse température. Nous proposons un modèle basé sur l'existence de couches superficielles plus résistantes, entraînant la formation de charges d'espace qui seraient à l'origine des phénomènes observés.

Keywords: arsenic compounds; chalcogenide glasses; electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators; germanium compounds; silicon compounds; tellurium compounds; electric conduction; chalcogenide semiconductor; As sub 35 Te sub 28 Ge sub 16 S sub 21; space charge; electrical properties; electronic conductivity; memory effect

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M. C. Félix, J. Fornazéro, J.M. Mackovski, R. Ongaro. Etude de la conduction électrique dans le semiconducteur chalcogénure As35Te28Ge16S21 en liaison avec la constitution de charges d'espace. Revue de Physique Appliquée, 1980, 15 (1), pp.37-43. ⟨10.1051/rphysap:0198000150103700⟩. ⟨jpa-00244696⟩