Dislocations et fautes d'empilement par microscopie ionique à champ

J. Gallot , D.A. Smith

L'image, donnée par microscopie ionique, d'une surface où émerge une dislocation, dépend principalement de la perturbation de cette surface le long de sa normale. Les configurations de la surface pour des dislocations parfaites et imparfaites, des boucles, des fautes d'empilement et des dislocations dissociées, prédites théoriquement ont été corrélées avec les observations expérimentales dans les métaux cubiques faces centrées et cubiques centrés. La théorie est aussi appliquée aux dislocations dans les joints de grains. On indique quelques limitations de la méthode et la validité des observations.

Mots clés: dislocations; microscopy; field ion microscope; dislocation; perturbation; surface configuration; loops; stacking faults; grain boundaries

Domaines: Articles anciens

J. Gallot, D.A. Smith. Dislocations et fautes d'empilement par microscopie ionique à champ. Revue de Physique Appliquée, 1971, 6 (1), pp.11-18. ⟨10.1051/rphysap:019710060101100⟩. ⟨jpa-00243496⟩