Étude expérimentale des effets de l'eau sur les propriétés électriques de l'oxyde anodique de silicium et de l'interface oxyde/semiconducteur
Résumé
L'action de l'eau sur l'oxyde anodique de silicium se traduit par une évolution lente de toutes ses propriétés électriques. Les phénomènes de conduction, de redressement et d'accumulation de charges sont modifiés, la permittivité passe de 3,9 à 6,2, la barrière de potentiel à la surface du silicium diminue. L'application d'un très fort champ continu permet de revenir sur cette évolution. Des expériences de marquage par le tritium suggèrent que l'action de l'eau se traduirait essentiellement par une incorporation de protons.
Origine : Accord explicite pour ce dépôt
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