RECUIT D'IMPLATATION PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS BALAYÉS

C. Jaussaud , B. Biasse , A. Cartier , A. Bontemps

Des échantillons de silicium dopés au Bore par implantation (BF2 30 Kev, 1015 ions x cm-2) ont été recuits à l'aide d'un faisceau d'électrons balayés, à des températures allant de 1000 à 1200°C. Les courbes de R[MATH] en fonction du temps de recuit présentent un minimum. Des dosages de Bore par réaction nucléaire ont montré que l'augmentation du R[MATH] pour les temps de recuit importants est due à une exodiffusion du Bore. Les mesures de profondeur de jonction par spreading résistance sur biseau indiquent des redistributions de quelques centaines d'Å à 1000 Å.

Domaines: Articles anciens

C. Jaussaud, B. Biasse, A. Cartier, A. Bontemps. RECUIT D'IMPLATATION PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS BALAYÉS. Journal de Physique Colloques, 1983, 44 (C5), pp.C5-303-C5-306. ⟨10.1051/jphyscol:1983545⟩. ⟨jpa-00223131⟩