DIFFUSION DE L'ALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINU

C. Leray , J. Bouree , M. Rodot

La diffusion atomique de l'aluminium dans le silicium monocristallin et polycristallin à petits grains (diamètre voisin de 10 µm) a été étudiée dans le domaine de température 1100-1400°C. Les échantillons subissent une implantation d'aluminium, un recuit laser semi-continu en phase solide, puis une analyse au microanalyseur ionique. Utilisant un modèle thermique dérivé de celui de GOLD et GIBBONS, on retrouve pour les monocristaux entre 1400°C et 1200°C le coefficient de diffusion Dv généralement admis, d'énergie d'activation 3,4 eV ; dans les polycristaux apparaît au-dessous de 1300°C une diffusion intergranulaire Dj, d'énergie d'activation beaucoup plus faible.

Domaines: Articles anciens

C. Leray, J. Bouree, M. Rodot. DIFFUSION DE L'ALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINU. Journal de Physique Colloques, 1983, 44 (C5), pp.C5-235-C5-240. ⟨10.1051/jphyscol:1983537⟩. ⟨jpa-00223123⟩