INFLUENCE DU PROCESSUS D'ELABORATION SUR LES DEFAUTS CRISTALLOGRAPHIQUES DANS LES COUCHES DE GaAs EPITAXIEES PAR JETS MOLECULAIRES

Marise Bafleur , A. Muñoz-Yagüe

Nous présentons une étude sur Les défauts cristallographiques présents dans les couches d'AsGa épitaxiées par la technique des jets moléculaires. La principale technique de caractérisation utilisée est l'attaque chimique sélective, assistée de techniques complémentaires telles que microscopie électronique à transmission et microsonde électronique. Cette étude a été réalisée en vue de mettre en évidence l'effet des dégâts mécaniques, de la contamination et des défauts liés aux impuretés sur la présence de dislocations, de fautes d'empilement et de défauts macroscopiques affectant la morphologie de surface de la couche. En effet pour chaque défaut considéré, une étude est faite pour clarifier son origine et l'influence du choix du substrat, de sa préparation et des conditions de croissance, est prise en compte. Cela est réalisé par le biais d'épitaxies simultanées réalisées sur substrats différents et de l'analyse d'un grand nombre de couches. Enfin, sur la base des tendances observées, des moyens pour réduire la densité des défauts sont proposés.

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Marise Bafleur, A. Muñoz-Yagüe. INFLUENCE DU PROCESSUS D'ELABORATION SUR LES DEFAUTS CRISTALLOGRAPHIQUES DANS LES COUCHES DE GaAs EPITAXIEES PAR JETS MOLECULAIRES. Journal de Physique Colloques, 1982, 43 (C5), pp.C5-465-C5-472. ⟨10.1051/jphyscol:1982556⟩. ⟨jpa-00222276⟩