Rate equation for metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: The form of the light-induced annealing term - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 1994

Rate equation for metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: The form of the light-induced annealing term

R. Meaudre
  • Fonction : Auteur
M. Meaudre
  • Fonction : Auteur
S. Vignoli
Université Claude Bernard Lyon 1

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Physique [physics]

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R. Meaudre, M. Meaudre, S. Vignoli. Rate equation for metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: The form of the light-induced annealing term. Physical Review B, 1994, 49 (3), pp.1716-1719. ⟨10.1103/PhysRevB.49.1716⟩. ⟨hal-04424509⟩

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