Crystal phase induced direct band-gap modifications in bulk GaP and GaAsP

N. Benyahia; A. Menad; Ali Zaoui; M. Ferhat

doi:10.1016/j.ssc.2021.114584

Article Dans Une Revue Solid State Communications Année : 2022

Crystal phase induced direct band-gap modifications in bulk GaP and GaAsP

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N. Benyahia

Fonction : Auteur

A. Menad

Fonction : Auteur

Ali Zaoui

Fonction : Auteur
PersonId : 753438
IdHAL : zaoui-ali

Laboratoire de Génie Civil et Géo-Environnement (LGCgE) - ULR 4515

Université de Lille

M. Ferhat

Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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Soumis le : vendredi 5 janvier 2024-15:29:29

Dernière modification le : vendredi 2 février 2024-03:12:30

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hal-03770601 , version 1 (05-01-2024)

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HAL Id : hal-03770601 , version 1
DOI : 10.1016/j.ssc.2021.114584
PII : S0038-1098(21)00368-9

Citer

N. Benyahia, A. Menad, Ali Zaoui, M. Ferhat. Crystal phase induced direct band-gap modifications in bulk GaP and GaAsP. Solid State Communications, 2022, 341, pp.114584. ⟨10.1016/j.ssc.2021.114584⟩. ⟨hal-03770601⟩

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