InP-based 2.8–3.5 μm resonant-cavity light emitting diodes based on type-II transitions in GaInAs/GaAsSb heterostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2012

InP-based 2.8–3.5 μm resonant-cavity light emitting diodes based on type-II transitions in GaInAs/GaAsSb heterostructures

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Dates et versions

hal-02484130 , version 1 (19-02-2020)

Identifiants

Citer

Christian Grasse, Peter R Wiecha, Tobias Gruendl, Stephan Sprengel, Ralf Meyer, et al.. InP-based 2.8–3.5 μm resonant-cavity light emitting diodes based on type-II transitions in GaInAs/GaAsSb heterostructures. Applied Physics Letters, 2012, 101 (22), pp.221107. ⟨10.1063/1.4768447⟩. ⟨hal-02484130⟩

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