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Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Linearity and Efficiency Characterization of AlGaN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs devices using Multi-tone Large Signal Measurements

V. Gillet
  • Fonction : Auteur
M. Bouslama
  • Fonction : Auteur
Laboratoire matériaux ENSET d'Oran
S. Piotrowicz
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thalès III-V lab
C. Potier
  • Fonction : Auteur
O. Patard
  • Fonction : Auteur
M. Prigent
  • Fonction : Auteur
J-C. Nallatamby
C. Chang
  • Fonction : Auteur
Courant Institute of Mathematical Sciences [New York]
R. Quere
  • Fonction : Auteur
Equipe SAPHIHR (LNC - U1231)

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Jean-Christophe Nallatamby  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02460432

Soumis le : jeudi 30 janvier 2020-09:59:15

Dernière modification le : lundi 19 février 2024-16:19:46

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02460432 , version 1 (30-01-2020)

Identifiants

Citer

V. Gillet, M. Bouslama, S. Piotrowicz, C. Potier, O. Patard, et al.. Linearity and Efficiency Characterization of AlGaN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs devices using Multi-tone Large Signal Measurements. 2019 49th European Microwave Conference (EuMC), Oct 2019, Paris, France. pp.567-570, ⟨10.23919/EuMC.2019.8910734⟩. ⟨hal-02460432⟩

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