Quality improvement of AlInN/p-Si heterojunctions with AlN buffer layer deposited by RF-sputtering - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Alloys and Compounds Année : 2018

Quality improvement of AlInN/p-Si heterojunctions with AlN buffer layer deposited by RF-sputtering

A. Núñez-Cascajero
  • Fonction : Auteur
S. Valdueza-Felip
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
R. Blasco
M. de La Mata
  • Fonction : Auteur
S. Molina
  • Fonction : Auteur
M. Gonzalez-Herraez
  • Fonction : Auteur
Department of Electronics, University of Alcala
E. Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs
F.B. Naranjo
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

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https://hal.science/hal-02166058

Soumis le : mercredi 26 juin 2019-14:16:15

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:11

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hal-02166058 , version 1 (26-06-2019)

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Citer

A. Núñez-Cascajero, S. Valdueza-Felip, R. Blasco, M. de La Mata, S. Molina, et al.. Quality improvement of AlInN/p-Si heterojunctions with AlN buffer layer deposited by RF-sputtering. Journal of Alloys and Compounds, 2018, 769, pp.824-830. ⟨10.1016/j.jallcom.2018.08.059⟩. ⟨hal-02166058⟩

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