Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2016
Céline Barreteau : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02104553
Soumis le : vendredi 19 avril 2019-15:40:36
Dernière modification le : lundi 16 novembre 2020-14:36:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02104553 , version 1
- ARXIV : 1603.02134
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2016.03.019
Citer
Céline Barreteau, B. Michon, C. Besnard, E. Giannini. High-pressure melt growth and transport properties of SiP, SiAs, GeP, and GeAs 2D layered semiconductors. Journal of Crystal Growth, 2016, 443, pp.75-80. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.03.019⟩. ⟨hal-02104553⟩
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