Influence of incident ion beam angle on dry etching of silica sub-micron particles deposited on Si substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2009

Influence of incident ion beam angle on dry etching of silica sub-micron particles deposited on Si substrates

S. Portal
  • Fonction : Auteur
Miguel Rubio-Roy
C. Corbella
  • Fonction : Auteur
M. Vallvé
  • Fonction : Auteur
J. Ignes-Mullol
  • Fonction : Auteur
E. Bertran
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02017540 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02017540 , version 1

Citer

S. Portal, Miguel Rubio-Roy, C. Corbella, M. Vallvé, J. Ignes-Mullol, et al.. Influence of incident ion beam angle on dry etching of silica sub-micron particles deposited on Si substrates. Thin Solid Films, 2009, 518 (5), pp.1543-1548. ⟨hal-02017540⟩
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