MOVPE Growth of GaN on LiNbO3 Substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

MOVPE Growth of GaN on LiNbO3 Substrate

A. Ougazzaden
Jean-Paul Salvestrini
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
CV
T. Aggerstam
  • Fonction : Auteur
S. Gautier
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes

Domaines

Optique [physics.optics]

Jean Paul Salvestrini  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00334599

Soumis le : lundi 27 octobre 2008-13:42:32

Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-14:06:26

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00334599 , version 1 (27-10-2008)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

Identifiants

  • HAL Id : hal-00334599 , version 1

Citer

A. Ougazzaden, Jean-Paul Salvestrini, T. Aggerstam, S. Gautier. MOVPE Growth of GaN on LiNbO3 Substrate. 7th International Conference on Nitride Semiconductors, Sep 2007, Las Vegas, United States. ⟨hal-00334599⟩

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