Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD

Abstract : Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD
Keywords : HRXRD PL AFM AlGaN MOCVD
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Article dans une revue
Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2016, 98, pp.515-521. 〈10.1016/j.spmi.2016.08.053〉
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01407865
Contributeur : L2c Aigle <>
Soumis le : vendredi 2 décembre 2016 - 15:55:23
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:23:21

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M. Jayasakthi, Sandrine Juillaguet, Herve Peyre, Leszek Konczewicz, K. Baskar, et al.. Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD. Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2016, 98, pp.515-521. 〈10.1016/j.spmi.2016.08.053〉. 〈hal-01407865〉

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