COLLECTION DE L'IES DANS L'ARCHIVE OUVERTE HAL

 

     

   

 

 

 

Les collaborations internationales de l'IES

 

 

Ce site dédié HAL-IES (abrité par HAL et géré à l'IES) est destiné à la consultation et au dépôt des publications scientifiques (de toutes natures : du Poster aux Articles Scientifiques en passant par les Brevets et Thèses et autres documents) de l'Institut d'Electronique et des Systèmes (UMR 5214 - CNRS et Université de Montpellier) et de ses anciennes dénominations (tout autant que ce soit possible et cohérent : EM2, CEM, CEM2, LAIN, LEM...).

  

# Un unique lien dynamique basé sur un IDHal (voir documentation) du type (remplacez prenom et nom en fin d'URL) :

https://hal.archives-ouvertes.fr/IES/search/index/q/%2A/sort/submittedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

permettra à nos auteurs de renvoyer vers leur production totale au cours du temps, triée par date de publication.

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie IES dans HAL".

 

# Si votre carrière s'est faite aussi dans d'autres laboratoires et que vous avez un IdHal, le lien suivant qui dépasse notre collection sera plus exhaustif :

https://hal.archives-ouvertes.fr/search/index/q/%2A/sort/submittedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie dans HAL". 

 

Ce site, outre son aspect pratique pour consulter, rechercher et déposer permet d'accroître la visibilité de nos publications, de valoriser la production du laboratoire, d’assurer la pérennité des données déposées, de répondre aux exigences des tutelles et de la commission européenne dans le cadre de certains projets spécifiques.

Nos tutelles font pression pour que l'ensemble de notre production y soit inventorié, y compris les thèses de nos étudiants (dans ce cas en texte intégral donc sous forme de documents et non de notice : référence sans texte). Un sous-site de HAL leur est même dédié.

 

 

 

Mots clés de nos dépôts

Structural properties Liquid phase epitaxy Honey Indium compounds Sensors Sol-gel process AlOx Bragg reflectors THz Transition element compounds Photoluminescence SEMICONDUCTORS AP8-AP9 MODELS Ideal gas law VCSEL Neutrons Particle beams II VI semiconductors Physical Sciences Quantum wells Quantum cascade laser Space charge Semiconductor thin films Semiconductor lasers Diffusion model Semiconductor materials Carnot cycle Particle detector Gallium arsenide Imaging Antimonides Neutron Wood Cell wall Laser diodes Semiconductor epitaxial layers Terahertz Band structure Semiconductor growth Optimization Elemental semiconductors SER Liquid phase epitaxial growth AFM Noise Semiconductors Gallium antimonides Semiconductor Heavy ions Aluminium compounds Atmospheric neutrons Mechanical properties Soft Error Rate III V semiconductors Photodiodes Single event upset SEU Polarization Antimoniures Silicon Thin films Energy gap Silver VECSEL Annealing Molecular beam epitaxial growth SEU Dynamics Elastic modulus Zinc oxide Simulation III-V semiconductors Molecular beam epitaxy Acoustic microscopy Growth mechanism Canonical single-corpuscle thermodynamics VALIDATION Binary compounds Electrical conductivity Inorganic compounds Cadmium compounds Viscoelasticity GaSb Radiofrequency sputtering Protons Gallium compounds Optical properties GROWTH Atomic force microscopy Carrier density Multiple cell upset MCU Nanostructures COTS Electron device noise Radiation Cross section Plasma waves Laser Experimental study SRAM Proton

 

 

 

    

 (Pour Formation et Information : Correspondant HAL, Gestionnaire du Site HAL-IES & des Collections IES et CEM2 : eric.dauverchain@ies.univ-montp2.fr)