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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Zinc oxide Nanostructures High electron mobility transistor HEMT Molecular beam epitaxy Caractérisation Heterostructures Semiconductors CRYSTALS GaN HEMT DLTFS LED Coalescence Nitrides Semiconducteurs Dislocations Excitons Diodes électroluminescentes High electron mobility transistors ZnO Electrical properties and parameters AlGaN/GaN HEMT MOCVD Photoluminescence AlGaN 2D materials Aluminum nitride Spectroscopy Microcavity Quantum dots Bond order wave Traps Metasurfaces AlN Selective area growth Gallium nitride GaN LEDs HEMT Doping Cathodoluminescence Nanoparticles Silicium LPCVD Strong coupling Molecular beam epitaxy MBE GaN Metalens Silica Croissance InGaN Silicon Graphene 3C–SiC Atom probe tomography Bending Quantum wells Millimeter-wave power density Electron holography Metasurface Tunnel junction Gallium nitride Microscopie électronique en transmission Free-standing GaN Boron nitride Transistor Diffraction Normally-off Holography Épitaxie par jets moléculaires Boîtes quantiques Al Transmission electron microscopy Compressive stress GaN-on-Si Épitaxie Aluminum gallium nitride Nitrures d'éléments III Schottky barrier diode III-N Atomic force microscopy Defects Nanowire III-nitride semiconductors Chemical vapor deposition processes Group III-nitrides Optical properties Nitrure de gallium CVD Chemical vapor deposition High electron mobility transistor MBE Silicon carbide Contraintes Creep III-nitrides Epitaxy 6H-SiC Light emitting diodes Characterization Bullseye antennas AlGaN/GaN