Caractéristiques électriques de diodes Au-Si(N) réalisées après irradiation par laser
Résumé
On a préparé des diodes Schottky par dépôt d'une électrode d'or sur du silicium de type N dont la surface avait préalablement été irradiée par une impulsion lumineuse brève issue d'un laser à rubis. L'augmentation de l'énergie des impulsions au-delà d'un seuil situé aux environs de 0,7 à 0,8 J/cm 2 provoque une forte dégradation des caractéristiques électriques des diodes, la réduction de la barrière de potentiel au contact or-silicium et l'accroissement du facteur d'idéalité. Les mesures de capacité montrent que le recuit par laser introduit, dans une zone superficielle du silicium, une forte densité de défauts de type donneur dont on a pu, par décapages successifs de la surface, déduire le profil de distribution pour une irradiation effectuée à l'énergie de 1,45 J/cm2. La guérison de ces défauts par un recuit thermique permet de rétablir en partie les propriétés des contacts or-silicium.
Mots clés
elemental semiconductors
gold
laser beam annealing
Schottky barrier diodes
silicon
electrical characteristics
Au contact
defect distribution profile
semiconductors
Au Si N diodes
laser irradiation annealing
Schottky diodes
Q switched ruby laser
laser energy
I V curves
barrier height
diode quality factor
donor defects
stripping process
capacitance measurements
thermal annealing
Domaines
Articles anciens
Origine : Accord explicite pour ce dépôt
Loading...