Caractérisation électrique de films amorphes de As50Te 50 irradiés par des ions lourds

M. Benmalek (1) , J.M. Mackowski (1) , J. Tousset (1)

1 IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon

Des films amorphes de composition As50Te50 sont irradiés avec des ions azote et néon d'énergie comprise entre 0,5 et 2 MeV. L'évolution de leur résistance électrique est suivie pendant et après l'irradiation. La diminution de résistivité est corrélée à l'état initial de la couche ; en particulier, le recuit initial-prérecuit module l'amplitude de cette décroissance. L'accroissement de conductivité est attribué à une augmentation du nombre des défauts structuraux, lesquels provoquent une modification de la densité des états localisés dans la bande interdite.

Mots clés: amorphous semiconductors; arsenic compounds; electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators; ion beam effects; amorphous As sub 50 Te sub 50 films; electrical resistance; density of localized states; heavy ion irradiation; amorphous semiconductor

Domaines: Articles anciens

M. Benmalek, J.M. Mackowski, J. Tousset. Caractérisation électrique de films amorphes de As50Te 50 irradiés par des ions lourds. Revue de Physique Appliquée, 1977, 12 (5), pp.707-710. ⟨10.1051/rphysap:01977001205070700⟩. ⟨jpa-00244230⟩