Influence des collisions nucléaires sur la linéarite des détecteurs à semiconducteurs

P. Siffert (1) , G. Forcinal (1) , A. Coche (1)

1 IReS - Institut de Recherches Subatomiques

On a déterminé le défaut de hauteur d'impulsion dans les diodes à barrière de surface bombardées par des ions He+, N+ et Ne + d'énergies comprises entre 30 et 150 keV. L'influence des collisions nucléaires et de la canalisation des ions est plus spécialement analysée.

Mots clés: radiation effects; semiconductor counters

Domaines: Articles anciens

P. Siffert, G. Forcinal, A. Coche. Influence des collisions nucléaires sur la linéarite des détecteurs à semiconducteurs. Revue de Physique Appliquée, 1969, 4 (2), pp.275-277. ⟨10.1051/rphysap:0196900402027500⟩. ⟨jpa-00243258⟩