Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma

Gaelle Antoun (1) , Philippe Lefaucheux (1) , Thomas Tillocher (1) , Rémi Dussart (1) , Kumiko Yamazaki , Koichi Yatsuda (2) , Jacques Faguet (3) , Kaoru Maekawa (3)

1 GREMI - Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
2 TEL - Tokyo Electron
3 TEL Technology Center, America, LLC

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Plasmas; Génie des procédés

Gaelle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Kumiko Yamazaki, et al.. Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma. Applied Physics Letters, 2019, 115 (15), pp.153109. ⟨10.1063/1.5119033⟩. ⟨hal-02311503⟩