Unexpected impact of germanium content in SiGe bulk PMOSFETs

C. Diouf (1) , A. Cros (2) , A. Soussou (1) , D. Rideau , S. Haendler , J. Rosa , G. Ghibaudo (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 GEOPS - Géosciences Paris Sud

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

C. Diouf, A. Cros, A. Soussou, D. Rideau, S. Haendler, et al.. Unexpected impact of germanium content in SiGe bulk PMOSFETs. Solid-State Electronics, 2013, 86, pp.45-50. ⟨10.1016/j.sse.2013.04.024⟩. ⟨hal-01002182⟩