HAL : hal-00679550, version 1

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Materials Chemistry and Physics 133 (2012) 284-288

Carbon reaction with levitated silicon - Experimental and thermodynamic approaches

M. Beaudhuin (  Auteur correspondant ) 1, 2, G. Chichignoud 1, P. Bertho 1, T. Duffar 1, M. Lemiti 3, K. Zaidat 1

(2012)

Metallurgical grade silicon (MG-Si) has become a new source of raw material for the photovoltaic industry. The use of this material as an alternative feed stock has however introduced phenomena that are detrimental to both the yield of the manufacturing process and the performance of the photovoltaic cells produced. This is mainly related to the presence of carbon, which precipitates to silicon carbide (SiC) in the ingot. This article focuses on the effect of carbon on silicon nucleation. Statistical experimental results of silicon nucleation are obtained as a function of carbon concentration and are presented and compared to thermodynamic calculations.

1 :	Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMAP)
	CNRS : UMR5266 – Université Joseph Fourier - Grenoble I – Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)
2 :	Institut Charles Gerhardt - Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux de Montpellier (ICG ICMMM)
	CNRS : UMR5253 – Université Montpellier I – Université Montpellier II - Sciences et techniques – Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier
3 :	Institut des Nanotechnologies de Lyon - Site de l'INSA (INL)
	CNRS : UMR5270 – Ecole Centrale de Lyon – Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Lyon – Université Claude Bernard - Lyon I

Domaine

:

Chimie/Cristallographie

Mots Clés : Carbide – Semiconductors – Precipitation – Nucleation

hal-00679550, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00679550

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00679550

Contributeur : Michel Pons <>

Soumis le : Jeudi 15 Mars 2012, 19:32:38

Dernière modification le : Vendredi 16 Mars 2012, 08:57:45