Electrical Transport characterization of nano CMOS devices with ultra-thin silicon film.

G. Ghibaudo (1) , M. Mouis (1) , L. Pham-Nguyen , K. Bennamane , I. Pappas , A. Cros (2) , G. Bidal , D. Fleury (3) , Alain Claverie (4) , Gérard Benassayag , Pier-Francesco Fazzini , C. Fenouillet-Beranger (5) , S. Monfray , F. Boeuf , S. Cristoloveanu (1) , T. Skotnicki , N. Collaert (6)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 IDES - Interactions et dynamique des environnements de surface
3 INRETS/MA - Département Mécanismes d'Accidents
4 LCD - Laboratoire de combustion et de détonique
5 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
6 KI-NANO - Kavli Institute of Nanosciences [Delft]

Domains: Micro and nanotechnologies/Microelectronics

G. Ghibaudo, M. Mouis, L. Pham-Nguyen, K. Bennamane, I. Pappas, et al.. Electrical Transport characterization of nano CMOS devices with ultra-thin silicon film.. to be published, IEEE Conference Proceedings (2009), 2009, kyoto, Japan. ⟨hal-00603879⟩