Transport properties of MgB single crystals doped with electrons and holes

K. Rogacki; K. Oganisian; C. Sulkowski; N. Zhigadlo; S. Katrych; J. Karpinski

doi:10.1016/j.jpcs.2008.06.034

Article Dans Une Revue Journal of Physics and Chemistry of Solids Année : 2009

Transport properties of MgB single crystals doped with electrons and holes

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K. Rogacki

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Dates et versions

hal-00599232 , version 1 (09-06-2011)

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HAL Id : hal-00599232 , version 1
DOI : 10.1016/j.jpcs.2008.06.034

Citer

K. Rogacki, K. Oganisian, C. Sulkowski, N. Zhigadlo, S. Katrych, et al.. Transport properties of MgB single crystals doped with electrons and holes. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2009, 69 (12), pp.3202. ⟨10.1016/j.jpcs.2008.06.034⟩. ⟨hal-00599232⟩

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