Diode-pumped Nd:YVO4 / Yb:S-FAP laser emitting at 985 and 492.5 nm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optics Letters Année : 2008

Diode-pumped Nd:YVO4 / Yb:S-FAP laser emitting at 985 and 492.5 nm

Résumé

For the first time, to the best of our knowledge, Yb : S-FAP crystals have been intracavity pumped by a Nd : YVO4 laser at 914 nm. This original pumping scheme allows efficient laser action on the three-level transition at 985 nm with 1.4 W output power. Second-harmonic generation is also presented with a total output power of 120 mW at 492.5 nm.
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Dates et versions

hal-00533391 , version 1 (30-03-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00533391 , version 1

Citer

Marc Castaing, François Balembois, Patrick Georges, Thierry Georges, Kathleen Schaffers, et al.. Diode-pumped Nd:YVO4 / Yb:S-FAP laser emitting at 985 and 492.5 nm. Optics Letters, 2008, 33 (11), pp.1234-1236. ⟨hal-00533391⟩
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