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, Cependant, deux problèmes restent à résoudre. Le premier concerne la réactivité de
, En effet, même si l'épaisseur de la couche de silicates à l'interface a pu être réduite, elle reste trop importante en vue d'éventuelles applications industrielles, notamment pour le transistor MOS. Le second concerne l'hygroscopicité de La 2 O 3 , préjudiciable pour le dispositif. Pour pallier à ces difficultés
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, notamment l'épaisseur chimique, est nécessaire si cette approche veut être rendue encore plus fiable dans le but de pallier, au moins dans une première approche, la méthode classique plus coûteuse en investissement qu
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qui combine une correction d'aberration du spectromètre de troisième ordre avec une caméra CCD multi-port, haute vitesse et haute sensibilité. Elle possède 2048 canaux, ce qui permet d'avoir, à dispersion en énergie égale ,
, Ainsi, plusieurs signatures venant d'éléments différents peuvent être enregistrées dans une même fenêtre avec une résolution en énergie de l'ordre de l'eV permettant, à partir d'une seule acquisition, une analyse élémentaire quantitative et une analyse des structures fines aux seuils des distributions caractéristiques
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