Isomères de position d’indacénodithiophènes : synthèse, propriétés et applications en transistors organiques à effet de champ

Résumé : Les transistors organiques à effet de champ (OFETs) dans lesquels le transport des charges se fait à travers un film mince de molécules organiques représentent une transformation de la technologie des transistors à effet de champ au regard de la technologie au silicium. Ils permettent notamment d’envisager le développement d’une électronique flexible à bas coût. Ce travail porte sur la synthèse, l’étude et l’utilisation en tant que couche active dans des OFETs de type n de couples d’isomères para- et méta-indacénodithiophènes (para- et méta-IDT) appauvris en électrons inédits. Une introduction aux OFETs de type n est tout d’abord présentée. Elle est suivie par la présentation de la synthèse des dérivés IDT et de l’analyse comparée de leurs propriétés physico-chimiques. La fabrication des OFETs, leur caractérisation et l’optimisation de leur architecture est enfin décrite, leurs performances montrant l’intérêt des IDTs pour les OFETs de type n. Différentes fonctionnalisations menant à des IDTs d’architecture 3π-2spiro sont également synthétisées afin d’étudier les propriétés intrinsèques de ces dérivés π-conjugués et d’envisager leur incorporation comme matrice hôte dans des diodes électrophosphorescentes organiques.
Type de document :
Thèse
Electronique. Université Rennes 1, 2017. Français. 〈NNT : 2017REN1S138〉
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Soumis le : lundi 18 juin 2018 - 16:51:07
Dernière modification le : samedi 22 décembre 2018 - 19:33:17
Document(s) archivé(s) le : jeudi 20 septembre 2018 - 04:35:49

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Jean-David Peltier. Isomères de position d’indacénodithiophènes : synthèse, propriétés et applications en transistors organiques à effet de champ. Electronique. Université Rennes 1, 2017. Français. 〈NNT : 2017REN1S138〉. 〈tel-01818107〉

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