Etude de la Fiabilité des Transistors HEMTs AIGaN/GaN de puissance en condition opérationnelle

Résumé : Cette thèse porte sur l’étude des transistors de puissance à haute mobilité électronique en Nitrure de Gallium à enrichissement récemment apparus sur le marché. Ces travaux se focalisent sur l’analyse physique de la défaillance lors du vieillissement de ces composants sous des profils de mission réels de commutation. Un banc de stress a été conçu et construit, permettant d’imposer des conditions de fonctionnement réel sur le transistor sans utiliser des charges et donc en minimisant la consommation d’énergie. Une autre originalité de ce banc est qu’il contient des transistors témoin qui subissent une partie du stress imposé au transistor sous test, aidant ainsi à la compréhension des dégradations. Les composants vieillis sont caractérisés électriquement pour établir les modes de défaillance. Des méthodes de décapsulation de composants et de préparation d’échantillons mulit-échelle (mm au nm) ont été également développées afin d’accéder à la zone active des transistors. Par l’analyse de la microstructure des dispositifs, avec des techniques de photoémission spectrale, microscopie électronique à balayage et en transmission, les mécanismes de défaillance sont déterminés et la corrélation avec les modes dedéfaillance correspondants est réalisée.
Type de document :
Thèse
Electronique. Normandie Université, 2018. Français. 〈NNT : 2018NORMR014〉
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Contributeur : Abes Star <>
Soumis le : lundi 11 juin 2018 - 09:36:36
Dernière modification le : mardi 5 février 2019 - 11:44:16
Document(s) archivé(s) le : mercredi 26 septembre 2018 - 17:07:49

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Citation

Andres Echeverri Duarte. Etude de la Fiabilité des Transistors HEMTs AIGaN/GaN de puissance en condition opérationnelle. Electronique. Normandie Université, 2018. Français. 〈NNT : 2018NORMR014〉. 〈tel-01811918v2〉

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