Recherche

hal-00449555v1 Communication dans un congrès
G. Orsal, T. Moudakir, N. Maloufi, S. Gautier, F. Jomard et al. Growth and characterisation of new BInGaN quaternary alloys
ICNS-8, Oct 2009, North Korea

hal-00785001v1 Communication dans un congrès
K. Pantzas, Y. El Gmili, J. Dickerson, S. Gautier, C. Bishop et al. Semibulk InGaN: a Novel Approach for Thick, Single Phase, Epitaxial InGaN Layers Grown by MOVPE
ICMOVPE-XVI, May 2012, Busan, South Korea

hal-00784989v1 Article dans une revue
S. Gautier, T. Moudakir, G. Patriarche, D.J. Rogers, V. E. Sandana et al. Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2013, 370, pp.63-67. <10.1016/j.jcrysgro.2012.08.048>

hal-00784993v1 Article dans une revue
T. Moudakir, S. Gautier, S. Suresh, M. Abid, Y. El Gmili et al. Suppression of crack generation in AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2013, 370, pp.12-15. <10.1016/j.jcrysgro.2012.09.061>

hal-00806864v1 Article dans une revue
K. Pantzas, Y. El Gmili, J. Dickerson, S. Gautier, L. Largeau et al. Semibulk InGaN: A novel approach for thick, single phase, epitaxial InGaN layers grown by MOVPE
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2012, 370, pp.57-62. <10.1016/j.jcrysgro.2012.08.041>

hal-00555239v1 Article dans une revue
S. Gautier, G. Orsal, T. Moudakir, N. Maloufi, F. Jomard et al. Metal-organic vapour phase epitaxy of BInGaN quaternary alloys and characterization of boron content
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2010, 312, pp.641-644

hal-00554242v1 Article dans une revue
S. Gautier, G. Orsal, T. Moudakir, N. Maloufi, F. Jomard et al. Metal-organic vapor phase epitaxy of BInGaN quaternary alloys and characterization of boron content
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2010, 312, pp.641-644

hal-01099359v1 Communication dans un congrès
Walid Elhuni, Anne Migan-Dubois, Zakaria Djebbour, S. Sundaram, K. Pantzas et al. Simulation de cellule solaire à base d'InGaN : comparaison entre une structure massive et une structure semibulk
JNES 2014, Jul 2014, Perpignan, France. Actes des Journées nationales sur l’énergie solaire

hal-01099364v1 Communication dans un congrès
Walid Elhuni, Anne Migan-Dubois, Zakaria Djebbour, S. Sundaram, K. Pantzas et al. A comparative study of bulk and semibulk structures in InGaN-based solar cells
E-MRS Spring Meeting 2014, May 2014, Lille, France. Proceedings of E-MRS Spring Meeting 2014

hal-01099353v1 Poster
Walid Elhuni, Anne Migan-Dubois, Zakaria Djebbour, S. Sundaram, Konstantinos Pantzas et al. Simulation d’une cellule solaire à base d’InGaN : Structure dite Semibulk
JNPV 2014, Dec 2014, Dourdan, France. Actes des Journées Nationales du PhotoVoltaïque

hal-01281183v1 Brevet
Chris Bishop, Abdallah Ougazzaden, Jean-Paul Salvestrini, P.L. Voss, Laetitia Pradere et al. Capteur Schottky de detection d’un constituant d’un gaz d’echappement
France, N° de brevet: FR 1462277 2014. 2014

hal-01170572v1 Communication dans un congrès
X. Li, S. Sundaram, Y. El Gmili, Frédéric Genty, S. Bouchoule et al. MOVPE grown periodic AlN/BAlN heterostructure with high boron content
ICMOVPE, 2015, Lausanne, Switzerland. Journal of Crystal Growth, 414, 2015

hal-01117242v1 Poster
W. Elhuni, Anne Migan-Dubois, Z. Djebbour, S. Sundaram, K. Pantzas et al. Simulation d’une cellule solaire à base d’InGaN : Structure dite Semibulk
JNPV 2014, Dec 2014, Dourdan, France

hal-01117208v1 Communication dans un congrès
W. Elhuni, Anne Migan-Dubois, Z. Djebbour, S. Sundaram, K. Pantzas et al. Simulation de cellule solaire à base d'InGaN : comparaison entre une structure massive et une structure semibulk
JNES 2014, Jul 2014, Perpignan, France

hal-00644001v1 Article dans une revue
K. Pantzas, G. Patriarche, G. Orsal, S. Gautier, T. Moudakir et al. Investigation of a relaxation mechanism specific to InGaN for improved MOVPE growth of nitride solar cell materials
physica status solidi (a), Wiley, 2012, 209 (1), pp.25-28. <10.1002/pssa.201100154>

hal-00786004v1 Article dans une revue
J.R. Dickerson, V. Ravindran, T. Moudakir, S. Gautier, P.L. Voss et al. A study of BGaN back-barriers for AlGaN/GaN HEMTs
European Physical Journal: Applied Physics, EDP Sciences, 2012, 60 (03), pp.30101/5. <10.1051/epjap/2012120265>

hal-01420490v1 Article dans une revue
M. Arif, W. Elhuni, J. Streque, S. Sundaram, S. Belahsene et al. Improving InGaN heterojunction solar cells efficiency using a semibulk absorber
Solar Energy Materials and Solar Cells, Elsevier, 2016, 159, pp.405 - 411. <10.1016/j.solmat.2016.09.030>

hal-00666779v1 Article dans une revue
M. Abid, T. Moudakir, G. Orsal, S. Gautier, A. En Naciri et al. Distributed Bragg reflectors based on diluted boron-based BAlN alloys for deep ultraviolet optoelectronic applications
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 100, pp.051101

hal-00648361v1 Article dans une revue
V. Gorge, Z. Djebbour, Anne Migan-Dubois, Christelle Pareige, Christophe Longeaud et al. Link between crystal quality and electrical properties of metalorganic vapour phase epitaxy InxGa1-xN thin films
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2011, 99 (6), pp.062113

hal-00710730v1 Article dans une revue
Vanessa Gorge, Zakaria Djebbour, Anne Migan-Dubois, Christelle Pareige, Christophe Longeaud et al. Link between crystal quality and electrical properties of metalorganic vapour phase epitaxy InxGa1−xN thin films
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2011, 99 (6), 062113 (3 p.). <10.1063/1.3624598>

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