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	hal-01004495v1 Communication dans un congrès Gaëtan Toulon, Abdelhakim Bourennane, Karine Isoird. Impact of a backside Schottky contact on the thyristor characteristics at high temperature International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.131 à 136, 2012
	hal-01005688v1 Communication dans un congrès Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p, 2012
	hal-01002232v1 Communication dans un congrès Loïc Théolier, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Hicham Mahfoz-Kotb, Henri Tranduc. The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications 2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p., 2009
	hal-01005674v1 Communication dans un congrès Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122, 2006
	hal-01019388v1 Article dans une revue Gaëtan Toulon, Abdelhakim Bourennane, Karine Isoird. Analysis and Optimization of a Thyristor Structure Using Backside Schottky Contacts Suited for the High Temperature IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 60 (11), p 3814-3820. <10.1109/TED.2013.2280554>
	hal-01005966v1 Article dans une revue Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs IET Circuits, Devices & Systems, Institution of Engineering and Technology, 2014, 8 (3), pp.197-204
	hal-00991676v1 Article dans une revue Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs Microelectronics Journal, Elsevier, 2008, 39 (6), pp.914-921. <10.1016/j.mejo.2007.11.009>
	hal-00881007v1 Article dans une revue Sodjan Koné, Henri Schneider, Karine Isoird, Fabien Thion, Jocelyn Achard et al. An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky devices Diamond and Related Materials, Elsevier, 2012, vol. 27-28, pp. 23-28. <10.1016/j.diamond.2012.05.007>
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