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	hal-01005688v1 Communication dans un congrès Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p, 2012
	tel-00010475v1 HDR Frédéric Morancho. De nouvelles limites pour le compromis "résistance passante spécifique/tenue en tension" des composants unipolaires de puissance Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2004
	tel-00165581v1 Thèse Frédéric Morancho. Le transistor MOS de puissance à tranchées : modélisation et limites de performances Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1996. Français
	hal-01002232v1 Communication dans un congrès Loïc Théolier, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Hicham Mahfoz-Kotb, Henri Tranduc. The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications 2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p., 2009
	hal-01005674v1 Communication dans un congrès Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122, 2006
	hal-01005966v1 Article dans une revue Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs IET Circuits, Devices & Systems, Institution of Engineering and Technology, 2014, 8 (3), pp.197-204
	hal-00991676v1 Article dans une revue Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs Microelectronics Journal, Elsevier, 2008, 39 (6), pp.914-921. <10.1016/j.mejo.2007.11.009>
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