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	hal-01286807v1 Communication dans un congrès Lotfi Ayari, Mohammed Ayad, Estelle Byk, Marc Camiade, Guillaume Neveux et al. An automatized time-domain set-up for on-wafer charaterization, doherty oriented, of high power GaN HEMTS Microwave Measurement Conference (ARFTG), 2015 85th , May 2015, Phoenix, United States. IEEE, pp.1-4, 2015, Microwave Measurement Conference (ARFTG), 2015 85th <10.1109/ARFTG.2015.7162905>
	hal-01286576v1 Communication dans un congrès Lotfi Ayari, Guillaume Neveux, Denis Barataud, Mohammed Ayad, Estelle Byk et al. Experimental time-domain evaluation and simulation of high power GaN HEMTS for RF Doherty Amplifier design Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2015 10th European , Sep 2015, PARIS, France. IEEE, pp.361-364, 2015, <10.1109/EuMIC.2015.7345144>
	hal-01287618v1 Article dans une revue Tibault Reveyrand, Denis Barataud, Jean-Michel Nebus, Alain Mallet, Gizard Francis et al. Accurate characterization of intermodulation noise in multi carrier wide band power amplifiers based on a digital synthesis of pseudo noise Gaussian stimuli Annals of Telecommunications - annales des télécommunications, Springer, 2006, 61 (5-6), pp.627-644. <10.1007/BF03219926>
	hal-00940021v1 Communication dans un congrès Chamssedine Berrached, Diane Bouw, Marc Camiade, Denis Barataud. Wideband High Efﬁciency High Power GaN Ampliﬁers Using MIC and Quasi-MMIC Technologies EuMW 2013, Oct 2013, Nuremberg, Germany. EuMC/EuMIC05-5 - pp. 1395 - 1398, 2013
	hal-00793469v1 Communication dans un congrès Jérôme Chéron, Michel Campovecchio, Denis Barataud, Tibault Reveyrand, Sébastien Mons et al. Design of a 55 W Packaged GaN HEMT with 60% PAE by Internal Matching in S-Band. Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits (INMMIC 2012), Sep 2012, Dublin, Germany. pp.1-3, 2012, <10.1109/INMMIC.2012.6331923>
	hal-01287611v1 Article dans une revue Delphine Sirieix, Olivier Noblanc, Denis Barataud, Eric Chartier. A CAD oriented nonlinear model of SiC MESFET based on pulsed I(V), pulsed S parameters measurements IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1999, 46 (3), pp.580-584. <10.1109/16.748881>
	hal-00935350v1 Article dans une revue Chamssedine Berrached, Diane Bouw, Marc Camiade, Kassem El-Akhdar, Denis Barataud et al. Wideband, High Efficiency, High Power GaN Amplifiers, Using MIC and Quasi-MMIC Technologies, in the 1-4GHz range. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2014, ? (?), 25p
	hal-00793353v1 Article dans une revue Jérôme Chéron, Michel Campovecchio, Denis Barataud, Tibault Reveyrand, Michel Stanislawiak et al. Electrical modeling of packaged GaN HEMT dedicated to internal power matching in S-band International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2012, 4 (5), pp.495-503. <10.1017/S1759078712000530>
	hal-00939981v1 Article dans une revue Pierre Medrel, Audrey Martin, Tibault Reveyrand, Guillaume Neveux, Denis Barataud et al. A 10-W S-band class-B GaN amplifier with a dynamic gate bias circuit for linearity enhancement International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2013, pp.1-9. <10.1017/S1759078713000962>
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