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	hal-00747607v1 Communication dans un congrès Maxime Berthou, Philippe Godignon, Pierre Brosselard, Dominique Tournier, José Millán. Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS ICSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States. 717-720, pp.1093-1096, 2012, <10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.1093>
	hal-01113181v1 Pré-publication, Document de travail Florian Chevalier, Pierre Brosselard, Dominique Planson, Pascal Bevilacqua, Grégory Grosset et al. A complete methodology for determining the influence of the design for 3.3 kV silicon carbide diodes : JBS compared to Schottky 2013
	hal-00803062v1 Article dans une revue Maxime Berthou, Philippe Godignon, Pierre Brosselard, Dominique Tournier, José Millán. Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2012, 717-720, pp.1093-1096. <10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.1093>
	hal-01113182v1 Pré-publication, Document de travail Florian Chevalier, Pierre Brosselard, Dominique Planson, Pascal Bevilacqua, Grégory Grosset et al. Quality of the ohmic contact on 4H-SiC p + area and its impact on direct conduction and voltage capability 2013
	hal-00380318v1 Communication dans un congrès Viorel Banu, Xavier Jordà, Josep Montserrat, Philippe Godignon, José Millán et al. Accelerated Test for Reliability Analysis of SiC Diodes ISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître, 2009
	hal-00391376v1 Communication dans un congrès Dominique Tournier, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, Hervé Morel, Pierre Brosselard et al. High Power Density SiC 450A AccuMOSFET for Current Limiting Applications ECSCRM, Sep 2008, Barcelona, Spain. TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH, SWITZERLAND, 615-617, pp.911-914, 2009, <10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.911>
	hal-01154140v1 Article dans une revue Rémy Ouaida, Maxime Berthou, Javier León, Xavier Perpiñà, Sebastien Oge et al. Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET in Switching Conditions IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014, 35 (12), pp.1284 - 1286. <10.1109/LED.2014.2361674>
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