Recherche

		Pertinence Auteur A→Z Auteur Z→A Titre A→Z Titre Z→A Date de publication croissante Date de publication décroissante Date de dépôt croissante Date de dépôt décroissante 30 résultats par page 50 résultats par page 100 résultats par page Pour les 8 documents Exporter XML-TEI BibTeX EndNote CSV PDF Export avancé... Syndication RSS ATOM
	hal-00747607v1 Communication dans un congrès Maxime Berthou, Philippe Godignon, Pierre Brosselard, Dominique Tournier, José Millán. Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS ICSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States. 717-720, pp.1093-1096, 2012, <10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.1093>
	hal-00803062v1 Article dans une revue Maxime Berthou, Philippe Godignon, Pierre Brosselard, Dominique Tournier, José Millán. Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2012, 717-720, pp.1093-1096. <10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.1093>
	hal-00391428v1 Communication dans un congrès Dominique Tournier, P. Waind, Philippe Godignon, L. Coulbeck, José Millán et al. 4.5 kV-8 A SiC-Schottky Diodes / Si-IGBT Modules ICSCRM, Sep 2005, Pittsburgh, PA, United States. 527-529, pp.1163-1166, 2006, <10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1163>
	hal-00391431v1 Communication dans un congrès Dominique Tournier, Miquel Vellvehi, Philippe Godignon, Xavier Jordà, José Millán. Double Gate 180V-128mA/mm SiC-MESFET for Power Switch Applications ICSCRM, Sep 2005, Pittsburgh, PA, United States. 527-529, pp.1243-1246, 2006, <10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1243>
	hal-00687139v1 Communication dans un congrès Bruno Allard, Cyril Buttay, Dominique Tournier, Rémi Robutel, Jean-François Mogniotte et al. Higher temperature power electronics for larger-scale mechatronic integration Automotive Power Electronics, Apr 2011, Paris, France. Actes sur CD (pas de pagination), 2011
	hal-00380318v1 Communication dans un congrès Viorel Banu, Xavier Jordà, Josep Montserrat, Philippe Godignon, José Millán et al. Accelerated Test for Reliability Analysis of SiC Diodes ISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître, 2009
	hal-00141584v1 Article dans une revue S. Berberich, Philippe Godignon, Marie-Laure Locatelli, José Millán, H. Hartnagel. High frequency CV measurements of SiC MOS capacitors Solid-State Electronics, Elsevier, 1998, 42 (6), pp.915-920
	hal-00141534v1 Article dans une revue M. Badila, B. Tudor, G. Brezeanu, Marie-Laure Locatelli, Jean-Pierre Chante et al. Current-voltage characteristics of large area 6H-SiC pin diodes Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1999, 61 (2), pp.433-436
		Pertinence Auteur A→Z Auteur Z→A Titre A→Z Titre Z→A Date de publication croissante Date de publication décroissante Date de dépôt croissante Date de dépôt décroissante 30 résultats par page 50 résultats par page 100 résultats par page Pour les 8 documents Exporter XML-TEI BibTeX EndNote CSV PDF Export avancé... Syndication RSS ATOM