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	hal-01005688v1 Communication dans un congrès Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p, 2012
	hal-00941891v1 Article dans une revue Houssam Arbess, Marise Bafleur, David Trémouilles, Moustafa Zerarka. Combined MOS-IGBT-SCR structure for a compact high-robustness ESD power clamp in smart power SOI technology IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 14 (1), pp. 432-440. <10.1109/TDMR.2013.2281726>
	hal-01556257v1 Article dans une revue Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Alain Bensoussan, Frédéric Morancho, André Durier. TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-off GaN Transistors after Heavy Ion Radiation IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, <10.1109/TNS.2017.2710629>
	hal-01556262v1 Communication dans un congrès Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Alain Bensoussan, Frédéric Morancho, André Durier. TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-off GaN Transistors after Heavy Ion Radiation RADECS 2016 (RADiation Effects on Components and Systems), Sep 2016, Brême, Germany. IEEE Transactions on Nuclear Science, pp.1 - 1, 2016, <10.1109/TNS.2017.2710629>
	hal-01005966v1 Article dans une revue Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs IET Circuits, Devices & Systems, Institution of Engineering and Technology, 2014, 8 (3), pp.197-204
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