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	hal-00672440v1 Article dans une revue Cyril Buttay, Christophe Raynaud, Hervé Morel, Gabriel Civrac, Marie-Laure Locatelli et al. Thermal stability of silicon-carbide power diodes IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 59 (3), pp.761-769. <10.1109/TED.2011.2181390>
	hal-00141584v1 Article dans une revue S. Berberich, Philippe Godignon, Marie-Laure Locatelli, José Millán, H. Hartnagel. High frequency CV measurements of SiC MOS capacitors Solid-State Electronics, Elsevier, 1998, 42 (6), pp.915-920
	hal-01165180v1 Article dans une revue Rabih Khazaka, Marie-Laure Locatelli, Sombel Diaham, Christophe Tenailleau, Rakesh Kumar. Real-time crystallization in fluorinated parylene probed by conductivity spectra Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, vol. 104 (n° 11), pp.112902. <10.1063/1.4868646>
	hal-00141603v1 Article dans une revue Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, S. Ortolland, Jean-Pierre Chante, H. Mitlehner et al. Periphery protection for silicon carbide devices: State of the art and simulation Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1997, 46 (1-3), pp.210-217
	hal-00141534v1 Article dans une revue M. Badila, B. Tudor, G. Brezeanu, Marie-Laure Locatelli, Jean-Pierre Chante et al. Current-voltage characteristics of large area 6H-SiC pin diodes Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1999, 61 (2), pp.433-436
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