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	hal-00373016v1 Communication dans un congrès Dominique Planson, Dominique Tournier, Pascal Bevilacqua, Nicolas Dheilly, Hervé Morel et al. SiC Power Semiconductor Devices for new Applications in Power Electronics IEEE/EPE-PEMC, Sep 2008, Poznan, Poland. pp.2457 - 2463, 2008, <10.1109/EPEPEMC.2008.4635632>
	hal-00140112v1 Article dans une revue Anis Ammous, Fayçal Sellami, Kaiçar Ammous, Hervé Morel, Bruno Allard et al. Developing an equivalent thermal model for discrete semiconductor packages International Journal of Thermal Sciences, Elsevier, 2003, 42 (5), pp.533-539
	hal-00140107v1 Article dans une revue Christophe Raynaud, S. Wang, Dominique Planson, Mihai Lazar, Jean-Pierre Chante. OBIC analysis for 1.3 kV 6H-SiC p(+)n planar bipolar diodes protected by Junction Termination Extension Diamond and Related Materials, Elsevier, 2004, 13 (9), pp.1697-1703
	hal-00141603v1 Article dans une revue Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, S. Ortolland, Jean-Pierre Chante, H. Mitlehner et al. Periphery protection for silicon carbide devices: State of the art and simulation Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1997, 46 (1-3), pp.210-217
	hal-00141534v1 Article dans une revue M. Badila, B. Tudor, G. Brezeanu, Marie-Laure Locatelli, Jean-Pierre Chante et al. Current-voltage characteristics of large area 6H-SiC pin diodes Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1999, 61 (2), pp.433-436
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