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	jpa-00244973v1 Article dans une revue M. Gamboa, P. Rossel, Henri Tranduc, T. Phan Pham. Le transistor M.O.S. de puissance en régime de saturation : la résistance de saturation et les effets de faible multiplication Revue de Physique Appliquee, 1982, 17 (2), pp.65-74. <10.1051/rphysap:0198200170206500>
	jpa-00244943v1 Article dans une revue P. Rossel, Henri Tranduc, M. Gamboa, T. Phan Pham. Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance ; le compromis entre la résistance à l'état passant RON et la tension de claquage VDBR Revue de Physique Appliquee, 1981, 16 (9), pp.509-515. <10.1051/rphysap:01981001609050900>
	jpa-00245391v1 Article dans une revue Jean-Louis Sanchez, Henri Tranduc, T. Phan Pham, M. Gharbi, P. Rossel et al. Influence des zones d'accès sur la résistance à l'état passant des transistors moyennes tensions VDMOS de puissance Revue de Physique Appliquee, 1985, 20 (11), pp.759-770. <10.1051/rphysap:019850020011075900>
	hal-01002232v1 Communication dans un congrès Loïc Théolier, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Hicham Mahfoz-Kotb, Henri Tranduc. The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications 2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p., 2009
	hal-01005674v1 Communication dans un congrès Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122, 2006
	hal-00991676v1 Article dans une revue Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs Microelectronics Journal, Elsevier, 2008, 39 (6), pp.914-921. <10.1016/j.mejo.2007.11.009>
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