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hal-01004495v1
Communication dans un congrès
Gaëtan Toulon, Abdelhakim Bourennane, Karine Isoird. Impact of a backside Schottky contact on the thyristor characteristics at high temperature International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.131 à 136, 2012 |
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tel-00566469v1
Thèse
Gaëtan Toulon. Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 um sur substrat "silicium sur isolant" (SOI pour les nouvelles gégérations de circuits intégrés de puissance Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. Français |
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hal-01019388v1
Article dans une revue
Gaëtan Toulon, Abdelhakim Bourennane, Karine Isoird. Analysis and Optimization of a Thyristor Structure Using Backside Schottky Contacts Suited for the High Temperature IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 60 (11), p 3814-3820. <10.1109/TED.2013.2280554> |
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