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	hal-00400634v1 Article dans une revue Hervé Morel, Dominique Bergogne, Dominique Planson, Bruno Allard, Régis Meuret. New Applications in Power Electronics Based on SiC Power Devices Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2008, 600-603, pp.925-930. <10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.925>
	hal-01191419v1 Communication dans un congrès Rémi Perrin, Dominique Bergogne, Christian Martin, Bruno Allard. GaN Power Module with High Temperature Gate Driver and Insulated Power Supply IMAPS International Conference and Exhibition on High Temperature Electronics (HITEC), May 2014, Albuquerque, United States. 2014
	hal-00413349v1 Communication dans un congrès Cyril Buttay, Dominique Planson, Bruno Allard, Dominique Bergogne, Pascal Bevilacqua et al. State of the art of High Temperature Power Electronics Microtherm, Jun 2009, Lodz, Poland. pp.8-17, 2009
	hal-00373016v1 Communication dans un congrès Dominique Planson, Dominique Tournier, Pascal Bevilacqua, Nicolas Dheilly, Hervé Morel et al. SiC Power Semiconductor Devices for new Applications in Power Electronics IEEE/EPE-PEMC, Sep 2008, Poznan, Poland. pp.2457 - 2463, 2008, <10.1109/EPEPEMC.2008.4635632>
	hal-00799884v1 Article dans une revue Rémy Ouaida, Cyril Buttay, Anh Dung Hoang, Raphaël Riva, Dominique Bergogne et al. Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2013, 740-742, pp.929-933. <10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.929>
	hal-00687139v1 Communication dans un congrès Bruno Allard, Cyril Buttay, Dominique Tournier, Rémi Robutel, Jean-François Mogniotte et al. Higher temperature power electronics for larger-scale mechatronic integration Automotive Power Electronics, Apr 2011, Paris, France. Actes sur CD (pas de pagination), 2011
	hal-00597432v1 Article dans une revue Cyril Buttay, Dominique Planson, Bruno Allard, Dominique Bergogne, Pascal Bevilacqua et al. State of the art of high temperature power electronics Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2011, 176 (4), pp.283-288. <10.1016/j.mseb.2010.10.003>
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