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Mesure du coewicient d'absorption optique dans le silicium multicristallin de type P pour photopiles solaires

J. Gervais
Résumé : La longueur de diffusion des porteurs minoritaires L caractérise la qualité du silicium multicristallin utilisé pour la conversion photovoltaïque. Sa détermination avant et après les divers traitements (diffusion d'impuretés, passivation des défauts, métallisation) est indispensable et nécessite la connaissance précise du coefficient d'absorption optique α dans le proche infrarouge. Nous avons déterminé expérimentalement la variation spectrale de α entre 0,86 et 1,06 μm et nous proposons un développement qui est très proche de ceux trouvés dans des monocristaux de silicium de qualité solaire. La variation de α n'est pas influencée par des diffusions de phosphore prolongées nécessaires à l'extraction et au piégeage d'impuretés métalliques.
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https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00249013
Contributor : Archives Journal de Physique <>
Submitted on : Friday, January 1, 1993 - 8:00:00 AM
Last modification on : Friday, January 1, 1993 - 8:00:00 AM
Document(s) archivé(s) le : Monday, May 17, 2010 - 5:47:40 PM

File

ajp-jp3v3p1489.pdf
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AJP

Citation

J. Gervais. Mesure du coewicient d'absorption optique dans le silicium multicristallin de type P pour photopiles solaires. Journal de Physique III, EDP Sciences, 1993, 3 (7), pp.1489-1495. ⟨10.1051/jp3:1993213⟩. ⟨jpa-00249013⟩

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