Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD

Y. Le Bellégo , P. Blanconnier , J.P. Praseuth

Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs. La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisation de structures MIS sur GaInAs et InP. Aucune dégradation du courant de fuite n'a été observé sur les photodiodes pin de type mesa avant et après le dépôt de SiNx . Finalement, la passivation a été testée par une expérience de vieillissement à haute température.

Mots clés: ageing; chemical vapour deposition; electronic conduction in insulating thin films; gallium arsenide; III V semiconductors; indium compounds; infrared spectra of inorganic solids; metal insulator semiconductor structures; p i n diodes; passivation; photodiodes; silicon compounds; semiconductor; mesa type diodes; GaInAs pin photodiodes; UVCVD SiN sub x thin films; low temperature; structural evaluation; IR spectroscopy; electrical characteristics; MIS structures; degradation; leakage current; high temperature aging; SiN; GaInAs; InP

Domaines: Articles anciens

Y. Le Bellégo, P. Blanconnier, J.P. Praseuth. Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD. Revue de Physique Appliquée, 1990, 25 (9), pp.941-945. ⟨10.1051/rphysap:01990002509094100⟩. ⟨jpa-00246260⟩